Het Amerikaanse bedrijf Group4 Labs heeft een gallium-nitride halfgeleiderschakeling aangebracht op een opgedampt laagje synthetisch diamant van 25 micrometer dik.

De superieure warmtegeleiding van diamant maakt veel snellere chips mogelijk dan met de nu gebruikte siliciumwafers. Warmteontwikkeling is een van de belangrijkste beperkende factoren in het maken van snellere chips. De industrie investeert veel geld in onderzoek naar efficiëntere koelingsmethodes en een slimmere architectuur van chips.Group4 Labs noemt de techniek GaN-on-Diamond en denkt dat de wafers in eerste instantie vooral van pas komen in onder meer ultra-heldere led’s en optische elektronica waar veel warmte wordt gegenereerd.